南大光电ArF光刻胶技术突破深度分析

根据收集到的信息，我为您系统梳理南大光电在ArF光刻胶领域的

：

---

南大光电在

的缺陷控制方面取得了关键性突破：

指标	技术水平	行业对比
缺陷密度	0.03个/cm²	接近日本信越水平
良品率	99.7%	达到国际先进水平
12英寸晶圆缺陷数量	降幅超99%	通过与北大团队联合攻关实现

：南大光电联合北京大学彭海琳团队，通过优化光刻胶分子结构，从根本上解决了影响芯片良率的关键缺陷问题[1][3]。

---

• 成功攻克
  193nm光刻胶配方技术
  ，产品可覆盖90nm-14nm集成电路工艺节点
• 自主研发功能单体、功能树脂、光敏剂等核心材料，实现从原材料到产品的
  完全自主化
  [2]

南大光电独创**“曝光后烘烤温度优化+界面捕获”**方案：

• 有效解决光刻胶团聚难题
• 使芯片良率提升
  15%
• 突破了客户端工艺参数匹配的技术瓶颈[1]

公司牵头国家**02专项"先进光刻胶产品开发与产业化"**项目，联合南京大学、北京大学等高校科研力量，攻克分子配方与配胶工艺的产业化难题[1][3]。

---

南大光电在供应链自主可控方面取得重要进展：

材料类型	技术状态	战略意义
重要单体	自主研发	打破进口依赖
功能树脂	自主研发	核心材料自主化
光敏剂	自主研发	配方完全自主
其他通用材料	外部采购	优化资源配置

公司具备研制功能单体、功能树脂、光敏剂等光刻胶材料的

，实现从光刻胶原材料到产品及配套材料的全部自主化[2]。

---

• 宁波基地
  ：年产50吨ArF光刻胶产线已实现连续稳定供货[4]
• 新建产线
  ：宁波年产500吨ArF光刻胶产线进入试生产，预计2025年底全面达产
• 当前月产能约
  25吨
  ，可满足国内28nm制程**15%**的需求[1]

已通过国内主要芯片制造企业认证：

• 中芯国际
  ：28nm逻辑芯片、50nm存储芯片
• 长江存储
  ：3D NAND闪存
• 华虹半导体
  ：成熟制程芯片
• 华为海思
  ：28nm制程芯片制造[1][4]

2025年上半年对中芯国际、长江存储出货量同比

[1]。

---

• 累计申请光刻胶相关专利
  超200项
• 发明专利占比
  75%
• 构建完整的知识产权护城河[1]

相较国内竞争对手：

• 彤程新材
  ：以KrF光刻胶为主
• 晶瑞电材
  ：ArF处于小批量阶段
• 南大光电在ArF领域
  领先1-2年产业化进度
  [1]

---

指标	南大光电	进口产品	优势幅度
产品单价	3000-4000元/公斤	约5000元/公斤	低20%
毛利率	50-60%	30-40%	高20%
供货周期	国内快速响应	依赖进口	供应链优势

---

1. 打破垄断
   ：成为国内
   唯一
   实现ArF光刻胶规模量产的企业，打破日美企业在该领域的长期垄断[1]

2. 国产替代
   ：我国ArF光刻胶国产化率不足2%，南大光电的突破对产业自主可控具有重要意义[3]

3. 技术积累
   ：为后续更高端EUV光刻胶研发奠定基础

---

尽管取得突破，仍面临以下挑战：

• 光刻胶是
  客制化产品
  ，需完全匹配客户工艺参数，验证周期长
• 客户端工艺参数锁定后调整难度大
• 产品品质微小变动可能直接导致芯片良率下降
• 国际巨头JSR、东京应化等在技术和市场上仍具有优势[5]

---

[1] 雪球 - 南大光电ArF光刻胶量产突破性进展分析 (https://xueqiu.com/4305963263/358276374)

[2] 证券时报 - 南大光电：三款ArF光刻胶已通过验证 (https://stcn.com/article/detail/1236775.html)

[3] 东方财富 - 光刻胶产业链研究报告 (https://pdf.dfcfw.com/pdf/H3_AP202512301811222103_1.pdf)

[4] 观察者网 - 我国攻克装光刻胶的玻璃瓶 (https://www.guancha.cn/economy/2026_01_14_803766.shtml)

[5] 江苏南大光电材料股份有限公司投资者关系活动记录表 (http://notice.10jqka.com.cn/api/pdf/d1918ff1fc79a5d4_1712829579/)